طراحی و ساخت کریستال فوتونیکی پلیمری معلق با استفاده از روش لیتوگرافی تداخلی و جداسازی شیمیایی

سال انتشار: 1389
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,622

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ICOPTICP17_121

تاریخ نمایه سازی: 19 آبان 1389

چکیده مقاله:

دراین مقاله کریستالهای فوتونیکی در پلیمر SUB با استفاده از روش لیتوگرافی تداخلی با تناوب زیر میکرومتر ایجاد شده اند به منظور معلق سازی و ایجاد پایه ها لایه نشانی مجدد پلیمر SUB ضخیمتر و تابش نور فرابنفش همراه با ماسک برروی ان انجام شد با استفاده ازمحلول ظهور ماده SUB طرح پایه های کریستال فوتونیکی ایجاد شده و پس از جداسازی به روش شیمیایی کریستالهای فوتونیکی معلق ساخته شدند. این کریستالها با توجه به اختلاف ضریب شکست بالای بین پلیمر و هوا می توانند در ساخت بیوسنسورها و فیلترهای اپتیکی به کار روند.

نویسندگان

محمد پیروی

دانشکده فیزیک دانشگاه امام حسین (ع) تهران

جواد خلیل زاده

دانشکده فیزیک دانشگاه امام حسین (ع) تهران

شاهین باقری

مجتمع برق و الکترونیک دانشگاه مالک اشتر پردیس تهران

پیام حیدری

مجتمع برق و الکترونیک دانشگاه مالک اشتر پردیس تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • اسدی رضا، اقری شاهین، خواجه مهدی، فاضلی مهدی، پیروی محمد ...
  • اسدی رضا؛ باقری شاهین؛ خواجه مهدی؛ فاضلی مهدی. " کنفرانس ...
  • M. F. Pinedia, L. L. Y. Chen, T. Kuhlen schmidt, ...
  • H. Yang, Appl. Phys. Lett. 87, 101106 , (2005). ...
  • S. H. Kim, K. D. Lee, J. Y. kim, M. ...
  • . V. Rebud, N. Kehagias, P. Lovera, M. Zelsman, C. ...
  • L. Pang, W. Nakagawa and Y. Fainman, Appl. Opt. 42, ...
  • N. D. Lai, W. P. Liang, J. H. Lin and ...
  • C. Morman, J. Bolten, H. Kurz, Microelectro. Engineer, 7 3-4, ...
  • M. Campbell, D. N. Sharp, M. T. Harrison, R. G. ...
  • Chen, Appl. Phys. Lett, 90, 093102, (2007) ...
  • نمایش کامل مراجع