CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

جذب سطحی دی اکسیدکربن برروی مزوپروس سیلیکاتی MCM-48 عامل دار شده با پنتااتیلن هگزامین

عنوان مقاله: جذب سطحی دی اکسیدکربن برروی مزوپروس سیلیکاتی MCM-48 عامل دار شده با پنتااتیلن هگزامین
شناسه ملی مقاله: NNTC01_353
منتشر شده در اولین کنفرانس ملی علوم و فناوری نانو در سال 1389
مشخصات نویسندگان مقاله:

وحید حسینی - تهران خ هنگام دانشگاه علم و صنعت ایران دانشکده شیمی ازمایشگاه تحقیق
منصور انبیا
سکینه ماندگارزاد

خلاصه مقاله:
مزوپروس سیلیکاتی MCM-48 پس از سنتز بوسیله 50 درصد وزنی پنتا اتیلن هگزامین PEHA عامل دار گردید تا جذب سطحی دی اکسید کربن CO2 برروی آن مورد بررسی قرارگیرد. جاذب سنتزی را MCM-48-PEHA می نامیم نمونه سنتز شده بوسیله پراش اشعه ایکس XRD و جذب - واجذب نیتروژن BET شناسایی گردید میزان CO2 جذب سطحی شده در فشار بین 0 تا 5 بار و در دمای محیط به روش حجم سنجی اندازه گیری شد ایزوترمهای جذب مشخص کرد که در فشار 4 بار میزان CO2 جذب سطحی شده برابر با 0.19 میلی مول CO2 جذب شده به گرم جاذب می باشد این مقدار CO2 در مدت دو دقیقه جذب شد که نشان دهنده سینتیک سریع جذب سطحی این جاذب می باشد.

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/103925/