ناشر تخصصی کنفرانس های ایران

لطفا کمی صبر نمایید

Publisher of Iranian Journals and Conference Proceedings

Please waite ..
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
ورود |عضویت رایگان |راهنمای سایت |عضویت کتابخانه ها
عنوان
مقاله

مقایسه ی رسوب گذاری سیلیکون نیترید به روش ALD و LPCVD و پیش سازهای مختلف سیلیسیوم

سال انتشار: 1399
کد COI مقاله: INFM05_040
زبان مقاله: فارسیمشاهده این مقاله: 260
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای 6 صفحه است به صورت فایل PDF در اختیار داشته باشید.
آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله مقایسه ی رسوب گذاری سیلیکون نیترید به روش ALD و LPCVD و پیش سازهای مختلف سیلیسیوم

محمد حسین صدیق - دانشگاه جامع امام حسین (ع) ، تهران
سید محمد علوی - دانشگاه جامع امام حسین (ع) ، تهران

چکیده مقاله:

فیلم های نازک نیترید سیلیکون با استفاده از روش رسوب لایه اتمی ( ALD ) در یک راکتور نوع دسته ای قرار دارند و در معرض متناوب پیش سازهای Si و 3NH قرار گرفته اند. 4SiCl و 2Cl2SiH به عنوان پیش ماده Si مورد بررسی قرار گرفتند، و خواص فیلم های رسوب گذاری شده نسبتا مشخص شدند. ALD با استفاده از 2Cl2SiH میزان رسوب بیشتری را نسبت به ALD با استفاده از 4SiCl در معرض نمایش گذاشت، و فیلم هایرسوبی از 2Cl2SiH نرخ اچینگ کمتر در محلول HF رقیق داشتند. فیلم های نیترید سیلیکون با نسبت Si: N تقریبا 1 : 1 با استفاده از پیش ماده Si در دمای 500 درجه سانتیگراد تهیه شدند. با این حال، فیلم های رسوب گذاری شده با استفاده از 2Cl2SiH غلظت Hبالاتر داشتند. فیلم های نیترید سیلیکون رسوب گذاری شده توسط ALD خواص فیزیکی قابل مقایسه با فیلم های نیترید سیلیکون نهشته شده با رسوب بخار شیمیایی با فشار کم را نشان داد و دمای رسوب را بیش از 200 درجه سانتیگراد کاهش داد. (16)

کلیدواژه ها:

رسوب نیترید سیلیکون ، روش ALD ، پیش ساز سیلیسیم

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

کد یکتای اختصاصی (COI) این مقاله در پایگاه سیویلیکا INFM05_040 میباشد و برای لینک دهی به این مقاله می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:

https://civilica.com/doc/1038918/

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
صدیق، محمد حسین و علوی، سید محمد،1399،مقایسه ی رسوب گذاری سیلیکون نیترید به روش ALD و LPCVD و پیش سازهای مختلف سیلیسیوم،پنجمین کنفرانس ملی ایده های نوین در فنی و مهندسی،رشت،https://civilica.com/doc/1038918

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1399، صدیق، محمد حسین؛ سید محمد علوی)
برای بار دوم به بعد: (1399، صدیق؛ علوی)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

صدور گواهی نمایه سازی | گزارش اشکال مقاله | من نویسنده این مقاله هستم

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: 5,204
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات مرتبط جدید

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.

کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.

پشتیبانی