محاسبه ویژگی های الکترونی و ساختار نوارهای انرژی بلور گالیم ارسنیک در فاز بلند روی

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله ژورنالی
زبان: فارسی
مشاهده: 368

فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

JR_JAPAZ-8-2_004

تاریخ نمایه سازی: 8 اردیبهشت 1399

چکیده مقاله:

در این مقاله ساختار الکترونی و ساختار نوارهای انرژی بلور GaAs در فاز بلندروی با استفاده از روش امواج تخت بهبودیافته خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW در چارچوب نظریه تابعی چگالی (DFT) و با تقریب های مختلف و استفاده از کد محاسباتی Wien2k انجام شده است. در این روش، برای محاسبه پتانسیل تبادل همبستگی از تقریب های LDA و شیب تعمیم یافته استفاده شده است. نتایج بیانگر آن است که خصوصیات الکترونی و ساختاری محاسبه شده این ترکیب از جمله ثابت شبکه و مدول حجمی و تراکم پذیری و مشتق مدول حجمی با استفاده از تقریب GGA نسبت به سایر تقریب ها سازگاری بهتری با نتایج تجربی و نظری به دست آمده از روش های دیگر دارد.

نویسندگان

حمدا.. صالحی

دانشیار شهید چمران اهواز

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Christensen N.E., Electronic structure of GaAs under strain , Physical.Review, ...
  • Ivanova L. et al. Direct measurement and analysis of the ...
  • Welker H.  and Naturforsch Z., Vol.7, 744-749 (1952). ...
  • Salehi H. and Karimzadeh E. Calculation of electronic structure of ...
  • Dong Y. et al. Band offsets of InGa/GaAs Hetrojunction by ...
  • Anua N.N. et al., Non-local exchange correlation functionals impact on ...
  • Owolabi J.A., Onimisi M.Y., Abdu S.G.  and Olowomofe G.O.., Determination ...
  • Richard S., Aniel F. and Fishman G., Energy band structure ...
  • Perdew J.P., Chevary J.A., Vosko S. H., Jackson Koblar A., ...
  • Blaha P. and Schwarz K., Wien2k, Vienna university of technology, ...
  • Perdew J.P.  and Wang Y., Accurate and simple density functional ...
  • Kohn W.and Sham L., Physical Review, A46, 1002 (1934). ...
  • Perdew J.P.  and Zunger A., Self-interaction correction to density-functional approximations ...
  • Prassides K.Y., Iwasa T.et.al., cond-mat/0102507 v128 feb (2001). ...
  • Miotto R. and Srivastava G.and Ferraz A. C., Role of ...
  • Dalcoso A., Pasquarell A., Baldere Schi A.and Cas R.., Generalized-gradient ...
  • Levinshtein M.E.  and Rumyantsev S.L. , Handbook Series on Semiconductor Parameters, ...
  • Dargys A.and Kundrotas J., Handbook on Physical Properties of Ge, Si, ...
  • نمایش کامل مراجع