اثر افزایشجریان تزریقی بر روی بازدهی و چگالی جریان آستانه لیزرهای نیمههادی مدلTO-3

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,306

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE02_052

تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389

چکیده مقاله:

اثر افزایش جریان تزریقی بر روی جریان آستانه و بازدهی لیزرهای نیمههادی GaAsP/GaAs مدل TO-3 با طول موج 808 نانومتر بررسی شده است اندازه گیری ها در مد پالسی با عرض پالس 100μs فرکانس 200Hz و در دمای اتاق انجام شده است نتایج نشان میدهند که میانگین شیب تغییرات جریان آستانه با افزایشجریان تزریقی در حدود0/029است. برازش دادهای تجربی نشان میدهندکه جریان آستانه با گرمای تولید شده در یک لیزر نیمههادی به صورت خطی افزایش مییابد. محاسبات نشان میدهند که مقدار رسانندگی حرارتی موثر و مقاومت حرارتی در این لیزرها به ترتیب47/77W/mKو 0/36K/W است. همچنین میانگین تغییرات جریان آستانه با دمای ناحیه فعال در حدود 48/5mA/oC بدست آمده است.

نویسندگان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • M. Asada, A.R. Adams, K.E. Stubkjaer, Y. Suematsu, Y. Itaya, ...
  • A.R. Goodwin, J.R. Peters, M. Pion, G.H.B. Thomson, J.E.A. Whiteway, ...
  • M. Ettenberg, C.J. Nuese, H. Kressel, J. Appl. Phys. 50 ...
  • Optoelectronic Devices (2nd Edition), Prentice Hal ...
  • J. Piprek, Semiconductor OptoElectronic Devices Introduction to Physics and Simulation, ...
  • Bohdan Mroziewicz, Maciej Bugajski, and Wlodzimierz Nakwaski, Physics of Semiconductor ...
  • Jae-Ho Han, Sung-Woong Park, Current Applied Physics 7 (2007) 6-9. ...
  • E. Kapon Semiconductor Lasers I Fundamentals, A CADEMIC PRESS 1999. ...
  • نمایش کامل مراجع