سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

اثر افزایشجریان تزریقی بر روی بازدهی و چگالی جریان آستانه لیزرهای نیمههادی مدلTO-3

سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,337

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

NCOLE02_052

تاریخ نمایه سازی: 24 اسفند 1389

چکیده مقاله اثر افزایشجریان تزریقی بر روی بازدهی و چگالی جریان آستانه لیزرهای نیمههادی مدلTO-3

اثر افزایش جریان تزریقی بر روی جریان آستانه و بازدهی لیزرهای نیمههادی GaAsP/GaAs مدل TO-3 با طول موج 808 نانومتر بررسی شده است اندازه گیری ها در مد پالسی با عرض پالس 100μs فرکانس 200Hz و در دمای اتاق انجام شده است نتایج نشان میدهند که میانگین شیب تغییرات جریان آستانه با افزایشجریان تزریقی در حدود0/029است. برازش دادهای تجربی نشان میدهندکه جریان آستانه با گرمای تولید شده در یک لیزر نیمههادی به صورت خطی افزایش مییابد. محاسبات نشان میدهند که مقدار رسانندگی حرارتی موثر و مقاومت حرارتی در این لیزرها به ترتیب47/77W/mKو 0/36K/W است. همچنین میانگین تغییرات جریان آستانه با دمای ناحیه فعال در حدود 48/5mA/oC بدست آمده است.

کلیدواژه های اثر افزایشجریان تزریقی بر روی بازدهی و چگالی جریان آستانه لیزرهای نیمههادی مدلTO-3:

نویسندگان مقاله اثر افزایشجریان تزریقی بر روی بازدهی و چگالی جریان آستانه لیزرهای نیمههادی مدلTO-3

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
M. Asada, A.R. Adams, K.E. Stubkjaer, Y. Suematsu, Y. Itaya, ...
A.R. Goodwin, J.R. Peters, M. Pion, G.H.B. Thomson, J.E.A. Whiteway, ...
M. Ettenberg, C.J. Nuese, H. Kressel, J. Appl. Phys. 50 ...
Optoelectronic Devices (2nd Edition), Prentice Hal ...
J. Piprek, Semiconductor OptoElectronic Devices Introduction to Physics and Simulation, ...
Bohdan Mroziewicz, Maciej Bugajski, and Wlodzimierz Nakwaski, Physics of Semiconductor ...
Jae-Ho Han, Sung-Woong Park, Current Applied Physics 7 (2007) 6-9. ...
E. Kapon Semiconductor Lasers I Fundamentals, A CADEMIC PRESS 1999. ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "اثر افزایشجریان تزریقی بر روی بازدهی و چگالی جریان آستانه لیزرهای نیمههادی مدلTO-3" توسط حمزه نخعی، مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران؛ سیدپیمان عباسی؛ احسان فرساد؛ محمدصادق ذبیحی نوشته شده و در سال 1390 پس از تایید کمیته علمی دومین همایش ملی مهندسی اپتیک و لیزر ایران پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله لیزر نیمههادی، جریان تزریقی، جریان آستانه، بازدهی، دمای اتصال هستند. این مقاله در تاریخ 24 اسفند 1389 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 1337 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که اثر افزایش جریان تزریقی بر روی جریان آستانه و بازدهی لیزرهای نیمههادی GaAsP/GaAs مدل TO-3 با طول موج 808 نانومتر بررسی شده است اندازه گیری ها در مد پالسی با عرض پالس 100μs فرکانس 200Hz و در دمای اتاق انجام شده است نتایج نشان میدهند که میانگین شیب تغییرات جریان آستانه با افزایشجریان تزریقی در حدود0/029است. برازش دادهای تجربی نشان ... . برای دانلود فایل کامل مقاله اثر افزایشجریان تزریقی بر روی بازدهی و چگالی جریان آستانه لیزرهای نیمههادی مدلTO-3 با 6 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.