آثار قطبیدگی در ساختارهای نامتجانس
محل انتشار: دومین همایش ملی فناوری نانو از تئوری تا کاربرد
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 973
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNTA02_083
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1393
چکیده مقاله:
ءGaN به دلیل داشتن خواص و ویژگی های مناسب در ادوات فرکانس و قدرت بالا کاربرد دارد که نوید خوبی برای پیشرفت تکنولوژی محسوب می شود.حضور لایه ی GaN در ساختار های نامتجانس باعث ایجاد گاز الکترون دو بعدی در فصل مشترک لایه ی GaN و لایه ی سد خواهد شد که در همین ساختار ها غلظت DEG,ضخامت لایه ی سد وکسر مولی Al در اثرات قطبیدگی پیزوالکتریک و خود به خودی نقش مهمی را ایفا می کنند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
پریسا اسماعیلی
دانشجوی کارشناسی ارشد نانوالکترونیک
کریم عباسیان
استاد دانشگاه تبریز
غلامرضا کیانی
استاد دانشگاه تبریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :