درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS

در این مقاله به طراحی درایور وکسل با استفاده از تکنولوژیum CMOS 0.18 می پردازیم بنابراین ولتاژ مورد نیاز به v1.8 محدود می شود و در کنار همه مزیتهایی که همواره در تکنولوژیCMOSمطرح می باشد ، با استفاده از مداراتCommon source و تکنیک افزایش پهنای باندCapacitive Degeneration پهنای باند به طور قابل ملاحظه ای افزایش یافته و مصرف توان را تا حد ممکن کاهش می دهیم .پهنای باند بدست آمده در این مقالهGb/s24.2 و توان مصرفی نهاییmw25.4 می باشد

کلیدواژه های درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS:

درایور وکسل ، تکنیک Capacitive Degeneration /مدارات common source

نویسندگان مقاله درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS

مهسا ابراهیمی

دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق – الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات اراک- ایران

عباس مختاری

استادیار گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک – ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :

K. Iga, :Vertical-cavity surfac e-emitting laser: Introduction and review, " ...

W. W. Chow, K. D. Choquette, and S. W. Koch, ...

نمایش کامل مراجع

صدور گواهی نمایه سازی
من نویسنده این مقاله هستم

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

https://civilica.com/doc/233770

شناسه ملی سند علمی:

NCNIEE02_275

تاریخ نمایه سازی: 29 بهمن 1392

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:

ابراهیمی، مهسا و مختاری، عباس،1392،درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS،دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق،اصفهان،https://civilica.com/doc/233770

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (1392، ابراهیمی، مهسا؛ عباس مختاری)
برای بار دوم به بعد: (1392، ابراهیمی؛ مختاری)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:

رتبه علمی دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک

نوع مرکز: دانشگاه آزاد

تعداد مقالات: 9,654

در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مقالات مرتبط جدید

مقاله فارسی "درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS" توسط مهسا ابراهیمی، دانشجوی کارشناسی ارشد گروه مهندسی برق – الکترونیک، دانشگاه آزاد اسلامی واحد علوم و تحقیقات اراک- ایران؛ عباس مختاری، استادیار گروه فیزیک ، دانشگاه آزاد اسلامی واحد اراک – ایران نوشته شده و در سال 1392 پس از تایید کمیته علمی دومین کنفرانس ملی ایده های نو در مهندسی برق پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله درایور وکسل ، تکنیک Capacitive Degeneration /مدارات common source هستند. این مقاله در تاریخ 29 بهمن 1392 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 792 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که در این مقاله به طراحی درایور وکسل با استفاده از تکنولوژیum CMOS 0.18 می پردازیم بنابراین ولتاژ مورد نیاز به v1.8 محدود می شود و در کنار همه مزیتهایی که همواره در تکنولوژیCMOSمطرح می باشد ، با استفاده از مداراتCommon source و تکنیک افزایش پهنای باندCapacitive Degeneration پهنای باند به طور قابل ملاحظه ای افزایش یافته و مصرف توان را ... . برای دانلود فایل کامل مقاله درایور وکسل بر اساس تکنیک افزایش پهنای باند Capacitive Degeneration در تکنولوژی 0.18um CMOS با 5 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.