بررسی رفتار الکتروشیمیایی کامپوزیت Al/SiCp ساخته شده به روش فشردن انفجاری زیر آبی در آب دریا

در این پژوهش کامپوزیتهای Al/SiCpبه روش متالورژی پودر انفجاری زیرآبی تهیه شدند. حال به منظور تعیین اثرمیزان ذرات کاربی د سیلیسیمSiC)در سختی و همچنین رفتار خوردگی نمونهها در محلول سدیم کلراید3/5% NaCl) 3/5%با استفاده از اندازهگیری پتانسیل مدار بازEocp)طیف سنجی امپدانس الکتروشیمیاییEIS) و پلاریزاسیون پتانسیوداینامیکPDP) مورد بررسی قرار گرفت. برای بررسی مورفولوژی و ساختار نمونهها قبل و بعد از خورگی از میکروسکوپ الکترونی روبشیSEM) استفاده شده است. نتایج سختی نشان داد که افزودن ذرات تقویت کنندهSiC از10 درصد به 30 درصد وزنی، سختی کامپوزیت را به میزان تقریبی 16 درصد افزایش میدهد و همپنین بررسی رفتار منحنیهای پلاریزاسیون برای کامپوزیتهای آلومینیومی حاوی ذراتSiCنشان داد که افزودن 10 درصد از ذراتSiCبه آلومینیوم خالص دانسیته خوردگی از9/7μA/cm2 به2/06μA/cm2کاهش م ییابد و همچنین پتانسیل خوردگیبه سمت مقادیر مثب تتر انتقال یافت. کامپوزیت آلومینیومی حاوی 10SiC % نسبت به کامپوزی تهای 20 % و 30 کاربید سیلیسیم دارای کمترین دانسیته جریان خوردگی می باشد. در ادامه با مطالعه رفتار امپدانس الکتروشیمیاییکامپوزیت ها در محلول 3/5NaCl % مشاهده شد که مقاومت پلاریزاسیون تعیین شده از مدار معادل نمودار هاینایکوئیست برای آلومینیوم خالص و کامپوزیت آلومینیومی حاوی 10 درصد کاربید سیلیسیم به ترتیب برابر با3965 Ω و7862است. این نتایج نشان دهنده اثر مثبت ذرات تقویت کننده بر رفتار خوردگی کامپوزیت آلومینیومی می باشد وباعث افزایش مقاومت به خوردگی می شود