تشکیل نازک ترین لایه های ممکن بر زیر لایه ی Si(111)

هر چند ضخامت گیت اکسیدی که امروزه در نانو ترانزیستورهای اثر میدانی ماسفت بکار می رود حدود یک نانومتر است ولی نیاز صنعت همان طوری که در قانون مور پیش بینی شده است کم تر از یک نانومتر می باشد. به همین دلیل، یک سری آزمایشاتی را به منظور رشد نازک ترین اکسید خالص انجام داده ایم که توانستیم حدود 7 آنگستروم اکسیدسیلیکون تمیز را تحت شرایط فراخلا بر زیرلایه ی Si(III) رشد دهیم. آنگاه ساختار پیوندهای شیمیایی آن را با تکنیک فوتو گسیلی XPS مطالعه کردیم.