ساختار نواری تک لایه های InxGa1-xNyAs1-y و بررسی خصوصیات اپتیکی آنها

عنصر کوچک ن یتروژن به دلیل الکترونگاتیوی بالا، با مشارکت در ساختار InGaAs عامل اساسی خصوصیالت جالب اپتیکی ساختارهای InGaNAs مـ ی باشـد . در درصد مورد بررس ی قرار گرفته است و نتا یج حاصل ب ا استفاده از ط یف نمـا یی فتولوم ینـسانس ن یـ ز 1 و 0/7 با مقدار نیتروژن InGaNAs این مقاله ن یز تک لا یه ها ی نشان داده شده است . از جمله آن کاهش گاف نوار ی تک لا یه با حضور ن یتروژن است که بد ین ترت یب م ی توان با تغییر میزان نیتروژن، در گستره طول مـوجی مـورد احتیاج برای ارتباطات مخابراتی از طریق فیبر نوری ( محدوده 1/3-1/55 میکرون ) ، گسیل نوری داشته باشیم و به عنوان یک پارامتر فعال، درصد نیتـروژن بـه همـراه نوع ساختار این نیمه رسانا، تغییرات طول موجی را برای ما امکان پذیر می سازند . علاوه بر این، به دلیل ناهموتریهای سطحی بـه وجـود آمـده در سـاختار ، از بـازده نوری نمونه کاسته م ی شود . همچن ین حضور افت و خ یزهای سطح ی جایگزیدگی اکس یتونها را ن یز سبب م ی شود که با استفاده از تغ ییرات شدت نـور گـس یلی مـ ی توان به حضور آنها پی برد