بررسی و شبیه سازی ترانزیستور مقایسه آن با حالت دو کاناله از لحاظ سرعت و بازدهی با اعمال اثرات کوانتومی
محل انتشار: اولین کنفرانس ملی نانوالکترونیک ایران
سال انتشار: 1391
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 713
فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ICNE01_159
تاریخ نمایه سازی: 10 اردیبهشت 1392
چکیده مقاله:
از خانواده A 1.1 ( InAs ، GaSb ، AlSb ، ( ساختارهای ناه گون شان ترانزیستواهان بسیاان براسی شده اند که هرکدام خواص بسیااخوبی از خود نشان داده اند ولی دا مواد ترانزیستورGaSb/AlSb مطالعات بسیار کم ی انجام گرفته است. ما در این مقاله یک ترانزیستواGaSb/AlSb اا شبیه سازن کرده و آن اا با حالت دو کاناله از لحاظ بازدهیسرعت و مشخصاتRF و DC مقایسه ن ودیم. شبیه سازن با اساتفاده از معااد ت موازنه انرژی و با دا نظر گرفتن اثرات کوانتومی انجام شده است.
کلیدواژه ها:
معاد ت موازنه انرژن ، ترانزیستوا دوکاناله gm وHEMT
نویسندگان
رحیم فائز
دانشکده مهندسی برق ، دانشگاه صنعتی شریف
محی الدین سرایلو
جهاد دانشگاهی خواجه نصیر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :