ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

بهبود فشرده ساز 4:2 با استفاده از ترانزیستورهای فین فت

محل انتشار: کنفرانس بین المللی مهندسی برق و علوم کامپیوتر
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,000

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/403218

شناسه ملی سند علمی:

ICEECS01_094

تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394

چکیده مقاله:

دراین مقاله اقدام به شبیه سازی فشرده ساز2:4 بااستفاده ازطرح پیشنهادی مان می کنیم ابتدا نتایج اخرین مقاله راجع به فین فت ها را بررسی کرده و یک طرح جدید برای کاهش تعداد ترانزیستورها ارایه میدهیم و بامقاله مرجع مقایسه میکنیم ازساختارجمع کننده پیشنهادی مان درمدارفشرده سازاستفاده خواهیم نمود و برای مقایسه و ارزیابی بهتر فشرده ساز 2:4 رابااستفاده ازترانزیستورهای ماسفت نیز پیاده سازی نموده و شبیه سازی را بانرم افزار HSPICE بانجام خواهیم رساند

کلیدواژه ها:

نویسندگان

نرگس فیضیان

دانشجوی کارشناسی ارشد برق الکترونیک دانشگاه لرستان

عباس رمضانی

ستاد برق الکترونیک دانشگاه لرستان

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • FinFET Technology for Dummies [http : /cologn es eandr ea.wordpress ...
  • King T.-J. FinFETs for nanoscale CMOS digital integrated circuits. C ...
  • Huang X., Lee W.-C., Kuo C.. Hisamoto D., Chang L, ...
  • C. Vinoth, V. S. K. Bhaaskaran, B. Brindha et al., ...
  • C.-H. Chang, J. Gu, and M. Zhang, "Ultra low-voltage low ...
  • S. Veeramachan eni, M. Kirthi Krishna, L. Avinash, S. R. ...
  • Farid Moshgelani, Dhamin Al-Khalili, and Come Rozon, "Ultra-Low Leakage Arithmetic ...
    • نمایش کامل مراجع