طراحی وشبیه سازی لچ SR به کمک ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی برنانو لوله های کربنی
سال انتشار: 1394
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 670
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
COMCONF01_843
تاریخ نمایه سازی: 8 آذر 1394
چکیده مقاله:
مطالعات انجام شده در زمینه طراحی مدارهای مجتمع آنالوگ و دیجیتال نشان می دهدکه استفاده ازترانزیستورهای نانو لوله کربنی تاثیر بسزایی درافزایش سرعت ،کاهش زمان تاخیر و توان مصرفی دارد. دراین مقاله نیز یک لچ SR ، با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی مبتنی بر نانولوله های کربنی طراحی و شبیه سازی شده و نتایج شبیه سازی آن با نتایج لچ SR طراحی شده با ترانزیستور های اثر میدانی سیلیکونی مقایسه شده است. در این مقاله همچنینسعی شده که با تغییر پارامترهای ترانزیستورهای نانو لوله کربنی به بهترین جواب از نظر سرعت و توان مصرفی دست یابیم.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مائده بهرامی
دانشجوی دکتری دانشگاه آزاد یزد
محمدجعفر تقی زاده
استادیار گروه برق دانشگاه آزاد اسلامی واحد مهریز
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :