بیان میکروسکوپی از چگالی نیروی الکترومغناطیسی در محیطهای دی الکتریک مغناطیسی در مقیاس نانو

چگالی نیروی ماکروسکوپی روی محیط دی الکتریک مغناطیسی همسانگرد خطی در مقیاس نانو توسط میدان الکترومغناطیسی دلخواه و یک میانگین گیری فضایی ازچگالی نیروی لورنتسی میکروسکوپی محاسبه می شود.محاسبات بدست آمده در این مقاله ، با محاسبات عمومی و رایج که تاکنون بدست آمده متفاوت است.اما تانسور انرژی – تکانه با تانسور معروف هلمهولتز ،برای محیطهای که از قانون کلاسیوس-ماسوتی پیروی می کند هم خوانی دارد ، بنابراین بیان میکروسکوپی مقاله ، به وضوح صحت تانسور هلمهولتز را برای محیط در مقیاس نانو اثبات می کند. همچنین ، بیانی از چگالی تکانه میدان در این تئوری ، با بیان چگالی تکانه توسط آبرهام ، مینوفسکی ، لاب و اینشتین متفاوت است و تئوری آبراهم و مینوفسکی بر خلاف تئوری مقاله با مشاهدات تجربی همخوانی ندارد ، بخاطر همین تاکید به تئوری بدست آمده داریم.

کلیدواژه ها:

چگالی نیروی الکترومغناطیسی ، محیط دی الکتریک مغناطیسی ، تانسور انرژی-تکانه