تحلیل ساختار هندسی و الکتریکی ترانزیستور های اثرمیدان نانولوله های کربنی

نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد مکانیکی و الکتریکی که از خود نشان دادهاند جایگزین مناسبی برای سیلیکون و ترکیبات آن در قطعات الکترونیکی خواهند شد. از آنجایی که سرعت خاموش و روشن شدن ترانزیستور برای ما در قطعات الکترونیکی و پردازنده های کامپوتری از اهمیت ویژه ای برخوردار است، انتخاب نانولوله ای که تحرک پذیری بالایی داشته باشد بسیار مهم است. تحرک پذیری الکترون در نانولوله های کربنی متفاوت ، به ازای میدانهای مختلفی که در طول نانولوله ها اعمال شود، مقدار بیشینه ای را خواهد گرفت.بر اساس نظریه بور باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. در مطالعه حاظر بررسی می شود، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده میکند، در راستای همین تحقیق نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پیشنهاد می شود، که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد. جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروزی به تحلیل ساختار هندسی و الکتریکی ترانزیستور های اثرمیدان نانولوله های کربنی و گرافیت خواهیم پرداخت .

کلیدواژه ها:

نانو لوله های کربنی ، گرافیت ، ترانزیستور اثرمیدان نانوکربنی