بررسی و مقایسه انواع حافظه SRAMطراحی شده برای کاربردهای با توان مصرفی پایین

امروزه با توسعه تکنولوژی ساخت افزارهای نیمه هادی ،پارامترهای سرعت و توان مصرفی نقش مهمی در افزایش قابلیت و سرعت دستگاه های الکترونیکی ایفا می کنند.چرا که تراشه های الکترونیکی با سرعت بالا و توان مصرفی پایین همواره مورد توجه صنایع نظامی و تحقیقاتی و تجاری قرار گرفته است .دانشمندان زبده و طراحان تراشه در شرکت های ساخته تراشه از جمله اینتل ،آی بی ام و سیلترا تمامی فعالیت خود را در جهت ساخت تراشه هایی با سرعت و قابلیت بالا و توان مصرفی پایین پیش برده اند.سیستم های الکترونیکی از دو بخش آنالوگ و دیجیتال تشکیل شده اند . سیستم های دیجیتال بزرگتر و حجیم تر بنابراین در رقابت طراحی سرنوشت سازتر می باشند.در طراحی سیستم های دیجیتال پارامترهای متعددی از جمله کارایی تراشه(performance)،توان مصرفی ،جریان نشتیو ولتاژ تغذیه از اهمیت قابل توجهی برخوردار است.ازسوی دیگر ،حافظه های SRAM،یک بخش مهم بررویمدارات SOCs هستند . این نوع حافظه ها نیازمند بازخوانی اطلاعات نیستند بنابراین سرعت آنها به مراتب از حافظه های دینامیک بیشتر است.بنابراین حاظه های استاتیک سریع و گران هستند.از حافظه های static به منظور ایجاد حافظه های Cache ریزپردازنده(حساس به سرعت)استفاده می شود.حافظه های SRAM بخش عمده ای از توان مصرفی (در حدود 45درصد ) را در سیستم های کامپیوتری اتلاف می نمایند.از این رودر طراحی SRAM باید این موضوع را مد نظرداشت و از تکنیک های کاهش توان مصرفی استفاده نمود.در این مقاله ، ابتدا سلول های متنوعی که تا به امروز برای حافظه SRAM طراحی و پیشنهاد شده اند ، از نظرمصرف توان و پایداری ، بررسی شده و چالش های موجود دراین سلول ها بیان شده است.سپس توان مصرفی سلول های طراحی شده در تکنولوژی های مختلف مورد بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه ها:

بلوک های حافظه ، مداراتSOCs ، حافظه های SRAM ، توان مصرفی ، جریان نشتی