ورود
مقالات فارسیISIکنفرانسهاژورنالها

بررسی ویژگیهای اپتیکی ترکیب GaAs بااستفاده ازنظریه تابعی چگالی وتقریبهای LSDA , WC

محل انتشار: همایش ملی الکترونیکی دستاوردهای نوین در علوم مهندسی و پایه
سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 784

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:
https://civilica.com/doc/304263

شناسه ملی سند علمی:

AEBSCONF01_561

تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393

چکیده مقاله:

دراین مقاله خواص اپتیکی بلور GaAs مانند ثابت دی الکتریک, ضریب شکست خاموشی, تابع اتلاف بازتاب ورسانندگی اپتیکی مطالعه شده است.محاسبات بااستفاده ازروش امواج تخت شده ی خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW درچارچوب نظریه ی تابعی چگالی وبااستفاده ازنرم افزار WIEN2K و با کمک تابعی LSDAو WC صورت گرفته است.تابع دی الکتریک مختلط باتقریب LSDA و WC محاسبه شده است. مقایسه نتایج نشان دهنده تفاوتهای محسوسی درتوابع اپتیکی وخواص الکترونیکی است.

کلیدواژه ها:

نویسندگان

الهام جلیلی

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه

هاله کنگرلو

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Silicon Strategies, "Gallium arsenide IC market "worth $2.9 billion in ...
  • Newton Centre, MA, August 2004. ...
  • P. K. Bhattacharya, "GaAs-based h eterostructures for optoelectronic devices, " ...
  • M. Feng, P. J. Apostolakis, and W.-H. Chang, "GaAs MESFET: ...
  • MMIC microwave devices, " in Properties of Gallium Arsenide (M. ...
  • H. Ohno, _ Makingn onmagnetic semiconductoe ferromagnetic, _ Science, vol. ...
  • interstitials and interstitit complexes in low- Arsenic؛ه [6] J. I. ...
  • R. Kaspi, "Introduction to epitaxy, " in Properties of Gallium ...
  • K. Mahalingam, N. Otsuka, M. R. Melloch, J. M. Woodall, ...
  • "Substrate temperature dependence of arsenic precipitate formation inA1GaAs and GaAs, ...
  • M. R. Brozel and G. E. Stillman, eds., Properties of ...
  • R. K. Kawakami, E. John ston-Halperin, L. F. Chen, M. ...
  • ID=4720408 [cited31 January 2004]. [2] A. Anwar, "GaAs industry ...
  • forecast: 2003-2008, " tech. rep., Strategy Analytics, Inc., Newton Centre, ...
    • نمایش کامل مراجع