سیویلیکا را در شبکه های اجتماعی دنبال نمایید.

بررسی ویژگیهای اپتیکی ترکیب GaAs بااستفاده ازنظریه تابعی چگالی وتقریبهای LSDA , WC

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 816

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AEBSCONF01_561

تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393

چکیده مقاله بررسی ویژگیهای اپتیکی ترکیب GaAs بااستفاده ازنظریه تابعی چگالی وتقریبهای LSDA , WC

دراین مقاله خواص اپتیکی بلور GaAs مانند ثابت دی الکتریک, ضریب شکست خاموشی, تابع اتلاف بازتاب ورسانندگی اپتیکی مطالعه شده است.محاسبات بااستفاده ازروش امواج تخت شده ی خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW درچارچوب نظریه ی تابعی چگالی وبااستفاده ازنرم افزار WIEN2K و با کمک تابعی LSDAو WC صورت گرفته است.تابع دی الکتریک مختلط باتقریب LSDA و WC محاسبه شده است. مقایسه نتایج نشان دهنده تفاوتهای محسوسی درتوابع اپتیکی وخواص الکترونیکی است.

کلیدواژه های بررسی ویژگیهای اپتیکی ترکیب GaAs بااستفاده ازنظریه تابعی چگالی وتقریبهای LSDA , WC:

نویسندگان مقاله بررسی ویژگیهای اپتیکی ترکیب GaAs بااستفاده ازنظریه تابعی چگالی وتقریبهای LSDA , WC

الهام جلیلی

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه

هاله کنگرلو

گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
Silicon Strategies, "Gallium arsenide IC market "worth $2.9 billion in ...
Newton Centre, MA, August 2004. ...
P. K. Bhattacharya, "GaAs-based h eterostructures for optoelectronic devices, " ...
M. Feng, P. J. Apostolakis, and W.-H. Chang, "GaAs MESFET: ...
MMIC microwave devices, " in Properties of Gallium Arsenide (M. ...
H. Ohno, _ Makingn onmagnetic semiconductoe ferromagnetic, _ Science, vol. ...
interstitials and interstitit complexes in low- Arsenic؛ه [6] J. I. ...
R. Kaspi, "Introduction to epitaxy, " in Properties of Gallium ...
K. Mahalingam, N. Otsuka, M. R. Melloch, J. M. Woodall, ...
"Substrate temperature dependence of arsenic precipitate formation inA1GaAs and GaAs, ...
M. R. Brozel and G. E. Stillman, eds., Properties of ...
R. K. Kawakami, E. John ston-Halperin, L. F. Chen, M. ...
ID=4720408 [cited31 January 2004]. [2] A. Anwar, "GaAs industry ...
forecast: 2003-2008, " tech. rep., Strategy Analytics, Inc., Newton Centre, ...
نمایش کامل مراجع

مقاله فارسی "بررسی ویژگیهای اپتیکی ترکیب GaAs بااستفاده ازنظریه تابعی چگالی وتقریبهای LSDA , WC" توسط الهام جلیلی، گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه؛ هاله کنگرلو، گروه فیزیک دانشگاه آزاد اسلامی واحد ارومیه نوشته شده و در سال 1393 پس از تایید کمیته علمی همایش ملی الکترونیکی دستاوردهای نوین در علوم مهندسی و پایه پذیرفته شده است. کلمات کلیدی استفاده شده در این مقاله ویژگیهای اپتیکیGaAs، نظریه تابعی چگالی ، LSDA و WIEN2K,WC هستند. این مقاله در تاریخ 6 آبان 1393 توسط سیویلیکا نمایه سازی و منتشر شده است و تاکنون 816 بار صفحه این مقاله مشاهده شده است. در چکیده این مقاله اشاره شده است که دراین مقاله خواص اپتیکی بلور GaAs مانند ثابت دی الکتریک, ضریب شکست خاموشی, تابع اتلاف بازتاب ورسانندگی اپتیکی مطالعه شده است.محاسبات بااستفاده ازروش امواج تخت شده ی خطی با پتانسیل کامل FP-LAPW درچارچوب نظریه ی تابعی چگالی وبااستفاده ازنرم افزار WIEN2K و با کمک تابعی LSDAو WC صورت گرفته است.تابع دی الکتریک مختلط باتقریب LSDA و WC محاسبه شده است. ... . برای دانلود فایل کامل مقاله بررسی ویژگیهای اپتیکی ترکیب GaAs بااستفاده ازنظریه تابعی چگالی وتقریبهای LSDA , WC با 7 صفحه به فرمت PDF، میتوانید از طریق بخش "دانلود فایل کامل" اقدام نمایید.